بررسی جذب و رهایش داروی اکسی تتراسایکلین بر روی گرافن اکساید عامل دار شده۹۳- قسمت …

 
شکل ۱-۱۰:ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﺒﻜﻪ ﮔﺮاﻓﻦ ﻣﺘﺸﻜﻞ از دو زﻳﺮ ﺷﺒﻜﻪ A, B ﻛﻪ ﺑﻪ ﺗﺮ ﺗﻴﺐ ﺑﺎ داﻳﺮه ﻫﺎی ﻣﺸﻜﻲ و ﺧﺎﻛﺴﺘﺮی ﻧﺸﺎن داده اند بردارهای a1, a2 پایه ی شبکه ی حقیقی و R1,R2,R3 ﺑﺮدارﻫﺎﻳﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﻫﺮ اﺗﻢ را ﺑﻪ ﻧﺰدﻳﻚ ﺗﺮﻳﻦ ﻫﻤﺴﺎﻳﻪ ﻫﺎﻳﺶ ﻣﺘﺼﻞ ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ
۱-۷ شناسایی اکسید گرافن:
ﺷﻜﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ ﺑﻮﺳﻴﻠﻪ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮری و ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﭘﻮیشی ،ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ و اﻧﺪاره ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﻳﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ توسط ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮری اتمی گروه های عاملی گرافن توسط ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ زﻳﺮ ﻗﺮﻣﺰ (FT-IR)،شکل و اندازه ی صفحات گرافن ﻧﻴﺰ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮری و اندازه گیری های ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﺻﻮرت ﻣﻲ ﭘﺬﻳﺮد.
ﻃﻴﻒ ﺟﺬﺑﻲ آن ﻧﻴﺰ ﺗﻮﺳﻂ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻓﺮاﺑﻨﻔﺶ_ﻣﺮئی (UV-vis) ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد.
۱-۸ ساخت گرافن:
ﺻﻔﺤﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻨﻲ برای نخستین بار در سال ۲۰۰۴ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﺠﺮﺑﻲ از ﮔﺮاﻓﻴﺖ ﺟﺪا ﺷﺪﻧﺪ .ﭘﺎﻳﺪاری ﺳﺎﺧﺘﺎر دو ﺑﻌﺪی ﮔﺮاﻓﻦ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﭘﻴﻮﻧﺪ ﻫﺎی ﻗﻮی ﻛﻮواﻻﻧﺴﻲ داﺧﻞ ﺻﻔﺤﻪ وﺟﻮد ﻣﻮج ﻫﺎ وﭼﻴﻦ وﭼﺮوک ﻫﺎ ﺑﺮ آورده ﻣﻲ ﺷﻮد .ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ اﺗﻔﺎق در راه ﺳﺎﺧﺖ ﮔﺮاﻓﻦ زﻣﺎﻧﻲ ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪ ﻛﻪ ﻣﺸﺨﺺ ﺷﺪ ﺷﺪ ﮔﺮاﻓﻦ در زﻳﺮ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮری وﻗﺘﻲ ﻛﻪ ﺑﺮ روی ﻳﻚ ﻻﻳﻪ SiOﻗﺮار ﺑﮕﻴﺮد ﻗﺎﺑﻞ دﻳﺪن اﺳﺖ ﺑﻪ ﺷﺮﻃﻲ ﻛﻪ ﻧﺎزﻛﻲ ﻻﻳﻪ ی SiO2 ﺑﺎ دﻗﺖ اﻧﺘﺨﺎب ﺷﻮد ﺣﺘﻲ اﮔﺮ روش اﻧﺠﺎم ﻛﺎر را ﺑﻪ درﺳﺘﻲ و ﺑﺎ ﺟﺰﺋﻴﺎت ﺑﺪاﻧﻴﻢ، ﺑﺎز ﻫﻢ ﺑﻪ دﻗﺖ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ و ﭘﺸﺘﻜﺎر زﻳﺎدی ﺑﺮای ﻣﺸﺎﻫﺪه ﮔﺮاﻓﻦ ﻧﻴﺎز دارﻳﻢ ﺑﺮای ﻧﻤﻮﻧﻪ ۵% تفاوت در نازکی لایه ی SiO2 ( ۳۱۵ nm به جای ۳۰۰nm ) می تواند لایه ی گرافن را کاملا نامحسوس کند. (۱۷)(۱۸)(۱۹)
روش های ﻣﺨﺘﻠﻔﻰ ﺑﺮاى ﺗﻮﻟﯿﺪ ﮔﺮاﻓﻦ و ﻣﺸﺘﻘﺎت ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﻰ آن از ﮔﺮاﻓﯿﺖ و ﻣﺸﺘﻘﺎﺗﺶ وﺟﻮد دارد ﮐﻪ ﻫﺮ ﯾﮏ ﻣﺰاﯾﺎ و ﻣﻌﺎﯾﺒﻰ دارﻧﺪ.
۱-۸-۱ روش ازپایین به بالا:
اﻳﻦ روش ﭼﻴﺪﻣﺎن ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎ ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺑﺮای ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺰرﮔﺘﺮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ، ﮔﺮاﻓﻦ ﺗﻮﻟﻴﺪی ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ روش ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﻪ ﺑﺎﻻ، ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﻚ ﻻﻳﻪ و اﻛﺜﺮاً ﭼﻨد ﻻﻳﻪ می ﺑﺎﺷﻨﺪ ﻛﻪ در ﺑﻴﻦ اﻳﻦ روش ﻫﺎ، رﺳﻮب ﺑﺨﺎر ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ و رﺷﺪ ﻫم ﺑﺎﻓﺘﻲ، اﻏﻠﺐ ﺑﺎزدﻫﻲ ﺑﻬﺘﺮی ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺑﻘﻴﻪ، ﻫﻢ از ﻧﻈﺮ ﺣﺠﻢ ﮔﺮاﻓﻦ ﺗﻮﻟﻴﺪی و ﻫﻢ ﻛﻴﻔﻴﺖ ﻣﻄﻠﻮب ﺗﺮ را دارﻧﺪ. اﻳﻦ دﺳﺘﻪ از روش ﻫﺎی ﺗﻮﻟﻴﺪی ﺑﺮای ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت اوﻟﻴﻪ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎی اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ وﻟﻲ ﻧﻤﻲ ﺗﻮان ﺣﺠﻢ ﺑﺎﻻﻳﻲ از ﮔﺮاﻓﻦ را ﺑﺎ اﻳﻦ ﺷﻴﻮه ﺗﻬﻴﻪ ﻧﻤﻮد و ﻫﻢ وﺟﻮد ﻧﺪارد. در اﻳﻦ روش ﮔﺮاﻓﻦ ﺑﺎ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺷﻴﻮه ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻨﺘﺰ ﻣﻲ ﺷﻮد:
الف)رشد همبافته بروی کاربید سیلیکون:
اﻳﻦ روش ﺗﻮﺳﻂ دﻛﺘﺮ ﻫﻴﻴﺮ ﮔﺴﺘﺮش یافت دراﻳﻦ روش ﺳﻄﺢ کاربید ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن SiCدر ﻣﺤﻔﻈﻪ ای ﺑﺎ ﺧﻼ زﻳﺎد ﺗﺤﺖ دﻣﺎی ﺑﺎﻻ (حدود ºC 1200 ) ﺣﺮارت داده ﻣﻲ ﺷﻮد، در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻳﻦ ﻋﻤﻞ اﺗﻢ ﻫﺎی ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن از ﺳﻄﺢ ﻣﺘﺼﺎﻋﺪ ﮔﺸﺘﻪ و اﺗﻢ ﻫﺎی ﻛﺮﺑﻦ ﺑﺎﻗﻲ ﻣﺎﻧﺪه ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻻﻳﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ آراﻳﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﻨﺪ.
ب)رشد همبافته بروی فلزات:
رشد هم بافته بر روی فلزات شامل سه روش می باشد :
ﺟﺪاﺷﺪن داﻧﻪ ای ﻛﺮﺑﻦ از ﺣﺠﻢ ﻓﻠﺰ ﺑﻪ ﺳﻄﺤﺶ: در اﻳﻦ روش ﺗﻚ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎل ﻫﺎی ﻓﻠﺰی ﺗﺤﺖ ﺧﻼ ﺑﻪ دﻣﺎﻫﺎی ﺑﺎﻻ ﺑﺮده ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ و در اﻳﻦ ﺻﻮرت اﻧﺤﻼل ﭘﺬﻳﺮی ﻛﺮﺑﻦ در درون ﺷﺒﻜﻪ ﻓﻠﺰ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ .ﺳﭙﺲ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎل ﻓﻠﺰی ﺑﻪ ﻛﻨﺪی ﺳﺮد ﺷﺪه و در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣﻼﻟﻴﺖ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ .ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻛﺮﺑ ﻦ ﺟﺪا ﺷﺪه در ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﻓﻴﻠﻢ ﮔﺮاﻓﻨﻲ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﺪ .ﻓﻴﻠﻢ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻨﻲ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻫﻤﺒﺎﻓﺘﻪ روی ﺗﻚ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎل ﻫﺎی ﻓﻠﺰی اﺳﺎﺳﺎ در ﻣﺤﻴﻂ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه و در ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻫﺎﻳﻲ ﺗﺤﺖ ﺧﻼ ﻓﻮق اﻟﻌﺎده ﺷﻜﻞ ﻣﻲ ﮔﻴﺮﻧﺪ .اﻳﻦ روش ﺑﻪ دﻟﻴﻞ اﺳﺘﻔﺎده از ﺧﻼ ﺑﺴﻴﺎر ﭘﺮ ﻫﺰﻳﻨﻪ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ.
ﻻﻳﻪ ﮔﺬاری ﺑﻪ ﺷﻴﻮه ﺑﺨﺎر ﺷﻴﻤﻴﺎیی: روش دﻳﮕﺮی ﺑﺮای ﺳﻨﺘﺰ ﮔﺮاﻓﻦ اﺳﺖ .در اﻳﻦ روش ﮔﺎز ﻫﻴﺪروﻛﺮﺑﻦ در ﻣﺠﺎورت ﺳﻄﺢ ﺻﻔﺤﻪ ﻓﻠﺰی ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد ﻛﻪ در آﻧﺠﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮل ﻫﺎی ﻫﻴﺪرو ﻛﺮﺑﻦ ﻣﻲ ﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺗﺠﺰﻳﻪ و اﺗﻢ ﻫﺎی ﻛﺮﺑﻦ در ﻓﻠﺰ ﺣﻞ ﺷﻮﻧﺪ .ﺳﭙﺲ ﺻﻔﺤﻪ ﻓﻠﺰی ﺑﺎ آﻫﻨﮓ ﺧﺎﺻﻲ ﺳﺮد ﻣﻲ ﺷﻮد .در اﻳﻦ ﻫﻨﮕﺎم ﻻ ﻳﻪ ﻛﺮﺑﻦ در ﺳﻄﺢ ﺻﻔﺤﻪ ﻓﻠﺰی ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲ ﺷﻮد .در ﻧﻬﺎﻳﺖ ﻻﻳﻪ ﮔﺮاﻓﻦ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﺪه را ﺑﻪ زﻳﺮ ﻻﻳﻪ ﻫﺎی ﻧﻴﻤﻪ رﺳﺎﻧﺎ و ﻳﺎ ﻋﺎﻳﻖ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ.
) رسوب دهی بخار شیمیایی :(CVD) رسوبدهی بخار شیمیایی به فرآیندی گفته میشود که شامل تجزیه و یا واکنشهای شیمیایی از واکنشگرهای گازی در یک محیط فعال شده مانند (گرما، نور و پلاسما) میشود و برای تولید و تشکیل یک محصول جامد پایدار استفاده میگردد.در اﻳﻦ روش ﻻﻳﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ ﺑﺎ رﺳﻮب ﻛﺮﺑﻦ از ﮔﺎزﻫﺎی ﻫﻴﺪروﻛﺮﺑﻨﻲ ﺑا زﻳﺮآﻳﻨﺪ ﻓﻠﺰی و ﻳﺎ وﻳﻔﺮﻫﺎی ﺳﻴﻠﻴ

منبع فایل کامل این پایان نامه این سایت pipaf.ir است

ﻜﻮﻧﻲ ﻧﻈﻴﺮ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﻛﺎرﺑﻴﺪ و ﻳﺎ ﺳﻴﻠﻴﺴﻴﻢ دی اﻛﺴﻴﺪ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲ ﺷﻮد. مثالی از این روش، تجزیه‌ی اتیلن روی سطحی از جنس نیکل است.
۱-۸-۲ روش از بالا به پایین:
در اﻳﻦ روش ورﻗﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ ﻳﺎ ﮔﺮاﻓﻦ اﺻﻼح سطحی ﺷﺪه ﺑﻪ وسیله ی ﺟﺪاﺳﺎزی ﮔﺮاﻓﻴﺖ و ﻳﺎ ﻣﺸﺘﻘﺎت آن (ﻣﺎﻧﻨﺪ ﮔﺮاﻓﻴﺖ اﻛﺴﻴﺪ و ﻳﺎ ﮔﺮاﻓﻴﺖ ﻓﻠﻮراﻳﺪ)ﺗﻮﻟﻴﺪ می شود. به ﻃﻮر ﻛﻠﻲ اﻳﻦ روش ﺑﺮای ﺗﻮﻟﻴﺪ ﮔﺮاﻓﻦ در ﻣﻘﻴﺎس زﻳﺎد به ﻛﺎر می رود و از ﻟﺤﺎظ اﻗﺘﺼﺎدی ﻧﻴﺰ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ روش ﭘﻴﺸﻴﻦ ﻣﻘﺮون ﺑﻪ ﺻﺮﻓﻪ ﺗﺮ اﺳﺖ.
الف) لایه برداری مکانیکی:
این روش که به‌نام «نوار اسکاتلندی» یا «روش پوست‌کنی» نیز معروف است، ادامه‌ی کارهای قبلی در زمینه‌ی لایه‌لایه‌کردن میکرومکانیکی گرافیت الگودهی‌شده بود. این روش منجر به تولید مقدار اندکی گرافن تا سایز ۱۰۰ میکرومتر می‌شود که می‌تواند در مطالعات بنیادی، مورد استفاده قرار گیرد. مطابق شکل۱-۱۱ (۲۰)(۲۱)
شکل۱-۱۱:تولید گرافن به روش لایه برداری میکرومکانیکی
ب) سنتز شیمیایی:
این روش شامل اکسیداسیون اولیه گرافیت به اکسید گرافیت می باشد. پس از آن اکسید گرافیت به صورت شیمیایی و یا حرارتی به اکسید گرافن (GOx) تبدیل می شود و به دنبال آن با کاهش اکسید گرافن، گرافن ایجاد می شود. این روش برای تولید گرافن در مقیاس و راندمان بالا مناسب می باشد، اما با این وجود روشی وقت گیر می باشد و از واکنشگرهای اکسید کننده و کاهش دهنده ی خطرناک و سمی استفاده می شود. در واقع، اکسید گرافن عایق می باشد و از لحاظ هدایت تفاوت زیادی با گرافن دارد. با وجودی که این گروه های عاملی اکسیدی را می توان با کاهش دادن تا حدی از بین برد، اما مقدار قابل توجهی نقص ساختاری ایجاد می شود که خواص الکترونیکی را تحت تاثیر قرار می دهد.
پ) روش الکتروشیمیایی:
ﺑﺎزﻛﺮدن ﻧﺎﻧﻮﻟﻮﻟﻪ ﻛﺮﺑﻨﻲ: دراﻳﻦ ﺷﻴﻮه ﻧﺎﻧﻮﻟﻮﻟﻪ ﻫﺎی ﻛﺮﺑﻨﻲ ﭼﻨﺪدﻳﻮاره و ﻳﺎ ﺗﻚ دﻳﻮاره ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه اﺳﻴﺪ ﺳﻮﻟﻔﻮرﻳﻚ و پرمنگنات پتاسیم ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎﻋﺖ ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻫﻢ زن ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ هم زده ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻻﻳﻪ ﻫﺎ از ﻳﻚ دﻳﮕﺮ ﺑﺎز و ﺳﭙﺲ ﺑﺎ روش ﻫﺎی ﺣﺮارﺗﻲ و ﻳﺎ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ دﻳﮕﺮ اﺣﻴﺎ ﺷﺪه و ﻻﻳﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ.
تبخیر قوس الکتریکی گرافیت در حضور مخلوط: در اﻳﻦ روش ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻇﺮﻓﻲ از ﺟﻨﺲ ﻓﻮﻻد زﻧﮓ ﻧﺰن و ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎن دادن ﮔﺎز ﺧﻨﺜﻲ ﺑﻪ درون آن، ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﻴﻦ دو اﻟﻜﺘﺮود ﮔﺮاﻓﻴﺘﻲ، ﻻﻳﻪ ﻫﺎی ﮔﺮاﻓﻦ ﺑﺮ دﻳﻮاره ی ﻇﺮف رﺳﻮب ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ.
هریک از این روش‌ها مزایا و معایب خاص خود را دارند.
روش لایه برداری مکانیکی با استفاده از چسب نواری، برای تولید گرافن تک لایه و کم لایه مناسب می باشد اما راندمان تولید پائین می باشد. روش CVD با وجود اینکه پتانسیل زیادی برای تولید گرافن با سطح بزرگ از خود نشان می دهد، اما نیاز به انتقال نمونه به بستر های دیگر از طریق انتقال مکانیکی و یا از طریق فرآوری محلول به منظور ایجاد وسایل سودمند را دارد. این روش پتانسیل زیادی برای تولید مقدار زیادی از گرافن با هدف استفاده برای کاربردهای الکترونیکی را دارا میباشد.
تجزیه حرارتی ویفر SiC تحت خلاء بالا روش دیگری برای تهیه گرافن می باشد. این روش نیاز به درجه حرارت بالا بیش از ۱۱۰۰ درجه سانتیگراد برای تصعید سیلیکون دارد و کربن های باقی مانده به شکل گرافن مرتب می شوند. این روش می تواند برای الگودهی گرافن مورد استفاده قرار گیرد که برای کاربردهای الکترونیکی مناسب می باشد. نقطه ضعف این روش بسیاری نقص ساختاری در لایه ها می باشد. علاوه بر آن انتقال به بستر های دیگر دشوار است. همچنین، نیاز به شرایط خلاء بالا دارد
تبدیل نانوالماس، تبخیر قوس الکتریکی گرافیت در حضور مخلوط H2/He و رسوب دهی بخار شیمیایی با پلاسما ی غنی شده با میکروویو نیز برای تولید گرافن استفاده شده است. این روش باعث تولید مقادیری از سایر مواد ناخواسته ی کربنی می شود .
ایجاد تعلیق کلوئیدی از گرافیت و مشتقات گرافیت (مانند اکسید های گرافیت، ترکیبات بین لایه ای گرافیت و گرافیت بسط پذیر روش دیگری برای سنتز گرافن می باشد. (۲۲)(۲۳)(۲۴)
اگر ماده شروع کننده گرافیت باشد، تعلیق کلوئیدی از گرافن می تواند در حلال های مختلف به دست آید اما گرافن به دست آمده با غلظت کم در اندازه ی کوچک می باشد. همچنین باقی مانده ی حلال ها ممکن است بر روی سطح گرافن باقی بماند و کاربردهای آن را محدود کند .
برای تهیه گرافن همچنین می توان از روش های ورقه ورقه شدن گرافیت توسط واکنش های شامل مواد بین لایه ای و یا از طریق شوک حرارتی بعد از در معرض قرار دادن گرافیت طبیعی یا بسط پذیر با اسید نیز استفاده کرد. با این حال، این روش ها وقت گیر می باشند.
لایه برداری الکتروشیمیایی از گرافیت، روش دیگری برای تولید گرافن می باشد. اما این روش ها نیز نیاز به ولتاژ بالا دارد و معمولا چند مرحله ای و زمانگیر هستند.  بنابراین، ارائه ی یک روش آسان، ساده و مستقیم برای تولید گرافن در مقیاس بالا و بدون نقص با مساحت بزرگ یک چالش بزرگ است. (۲۵)(۲۶)(۲۷)(۲۸)
جدول۱-۳:روش های ساخت گرافن
۱-۹ ارتقاء کیفیت اکسید گرافن:

این نوشته را هم بخوانید :   لایه های سیاه گرانش گوس بونه در حضور دو کلاس الکترودینامیک غیرخطی- ...